項目概況：
隨著第三代半導體材料氮化鎵的突破和超高亮度藍、綠、紅、白光二極管的問世，半導體采用LED作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬小時，是白熾燈的30倍。半導體燈替代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，也是大勢所趨。
本項目主要解決新型超高亮度AlGaInP四元系外延片產業(yè)化中的多量子阱穩(wěn)定生長及進一步提高發(fā)光效率等多項關鍵技術問題，形成成本控制、成品率控制、技術管理規(guī)范、設備維護等規(guī)范。著重解決發(fā)光二極管產業(yè)化的穩(wěn)定性，重復性以及均勻性等關鍵問題。
目前國內高性能發(fā)光二極管外延片的生產量較少，不能滿足芯片生產公司的市場需求，這主要是由于外延片生產技術門檻較高的原因。國內也有幾家公司在進行發(fā)光二極管外延片的生產，但從總體上看高檔高亮度發(fā)光二極管外延片與芯片的生產基本上為國外廠商所壟斷。
市場化前景：
半導體燈采用發(fā)光二極管作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬小時，是白熾燈的30倍，由于半導體照明具有光電轉換效率高、節(jié)能、環(huán)保、長壽命、免維護、影響速度快等優(yōu)點，可廣泛應用于白光通用照明、裝飾照明、汽車等各類運輸工具照明、交通信號顯示、背景顯示、大屏幕、特種工作照明、軍用照明及旅游、輕工產品等各個領域。
預期效果：
本項目完成后，紅光LED外延品制備的芯片，在20毫安工作電流下，發(fā)光波長在625納米左右，發(fā)光強度大于120mcd，正向電壓小于2.2伏；黃綠光LED外延品制備的芯片，發(fā)光波長為569納米左右，發(fā)光強度大于5mcd。預計，項目完成后，可實現年產值7000萬元，實現利稅500萬元以上。
