本項(xiàng)目所開發(fā)的小體積、低成本、高性能MEMS Pirani傳感器芯片采用單晶硅絲作為加熱以及溫敏結(jié)構(gòu)，具有良好的環(huán)境適應(yīng)性；采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)一種獨(dú)特環(huán)繞熱沉結(jié)構(gòu)，有效的拓展了芯片的高真空段探測(cè)能力；使用全橋差分輸出形式，有效的抑制器件的溫漂特性與噪聲；利用雙敏感單元融合方法，進(jìn)一步的拓展了器件的線性響應(yīng)區(qū)間。器件采用一套CMOS兼容的8英寸工藝，每片晶圓可產(chǎn)出2.7萬顆芯片，具有良好的成本優(yōu)勢(shì)。該真空規(guī)可廣泛運(yùn)用于各類真空系統(tǒng)中對(duì)腔內(nèi)低、中真空度的檢測(cè)，覆蓋諸多行業(yè)，具有廣闊的市場(chǎng)前景。產(chǎn)品的進(jìn)一步產(chǎn)業(yè)化可有效的實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)傳感器的替代，依靠更合理的售價(jià)大幅度拓展智能真空傳感器的使用領(lǐng)域與市場(chǎng)。預(yù)計(jì)在此產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化后的3年內(nèi)預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值超過1億元。
大力推動(dòng)“2+6+N”產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量跨越式發(fā)展
聚焦產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、企業(yè)自主創(chuàng)新、園區(qū)創(chuàng)新發(fā)展
打造發(fā)展主引擎、增加發(fā)展新優(yōu)勢(shì)
